VBsemi(微碧半导体)

该产品是一款单 N 型 MOSFET，具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造。VGS=10V时，导通电阻为24mΩ。

VBsemi的VBA1328是一款单通道N沟道场效应晶体管（Single N），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOP8封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如信号放大、电源管理和电动工具控制等领域的模块中。

VBL2157N是VBsemi品牌的单P型场效应晶体管，具有高性能和高可靠性，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都有广泛的应用前景，能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。

VBsemi VBN165R04是一款Single N场效应管，属于VBsemi品牌产品系列。该产品具有高性能和稳定性，适用于各种电力控制和调节应用。采用Plannar技术制造，具有650V的漏极-源极电压（VDS），并在正负30V的门极-源极电压（VGS）下工作。该产品封装采用TO262，适用于需要承受高电压和电流的环境。

VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET，具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造，可靠性高，适用于各种工业和汽车应用。

VBC1307是一款单路N沟道MOSFET，适用于低压高电流的电子电路设计。具有30V的最大漏极-源极电压（VDS）、10A的最大漏极电流（ID）和低漏极-源极电阻（RDS(on)）。采用沟道技术制造，封装为TSSOP8，适用于各种电子设备的功率控制和开关应用。

VBGL71203 是一款单极性 N 型场效应管，具有120V 的漏极-源极电压 (VDS)，20V 的栅极-源极电压 (VGS)，以及3V 的阈值电压 (Vth)。在栅极-源极电压为10V 时，其导通电阻为2.8mΩ，最大漏极电流 (ID) 为190A。采用 SGT 技术，封装为 TO263-7L。

产品：场效应管中低压mos（12V~250V）、高压mos（300V~1000V）、超结mos（500V~900V）功率场效应管（MOSFET）等。