• VBsemi(微碧半导体)VBP16R90S

    该产品是一款单 N 型 MOSFET,具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造。VGS=10V时,导通电阻为24mΩ。

    二三极管, 产品中心 2024年5月22日
  • VBsemi(微碧半导体)VBA1328

    VBsemi的VBA1328是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOP8封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如信号放大、电源管理和电动工具控制等领域的模块中。

    二三极管, 产品中心 2024年5月22日
  • VBsemi(微碧半导体)VBL2157N 单P型场效应晶体管

    VBL2157N是VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。

    二三极管, 产品中心 2024年5月21日
  • VBsemi(微碧半导体)VBN165R04 Single N场效应管

    VBsemi VBN165R04是一款Single N场效应管,属于VBsemi品牌产品系列。该产品具有高性能和稳定性,适用于各种电力控制和调节应用。采用Plannar技术制造,具有650V的漏极-源极电压(VDS),并在正负30V的门极-源极电压(VGS)下工作。该产品封装采用TO262,适用于需要承受高电压和电流的环境。

    二三极管, 产品中心 2024年5月21日
  • VBsemi(微碧半导体)VBP16R67S 高性能的单N型功率MOSFET

    VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET,具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,可靠性高,适用于各种工业和汽车应用。

    二三极管, 产品中心 2024年5月21日
  • VBsemi(微碧半导体)VBC1307单路N沟道MOSFET

    VBC1307是一款单路N沟道MOSFET,适用于低压高电流的电子电路设计。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、10A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为TSSOP8,适用于各种电子设备的功率控制和开关应用。

    二三极管, 产品中心 2024年5月21日
  • VBsemi(微碧半导体)VBGL71203单极性 N 型场效应管

    VBGL71203 是一款单极性 N 型场效应管,具有120V 的漏极-源极电压 (VDS),20V 的栅极-源极电压 (VGS),以及3V 的阈值电压 (Vth)。在栅极-源极电压为10V 时,其导通电阻为2.8mΩ,最大漏极电流 (ID) 为190A。采用 SGT 技术,封装为 TO263-7L。

    二三极管, 产品中心 2024年5月21日
  • VBsemi(微碧半导体)

    产品:场效应管中低压mos(12V~250V)、高压mos(300V~1000V)、超结mos(500V~900V)功率场效应管(MOSFET)等。

    经销品牌 2024年1月10日
联系我们

联系小漫

400-861-9258

 

QQ咨询:点击这里给我发消息

QQ咨询:点击这里给我发消息

QQ咨询:点击这里给我发消息

邮件:han@chaic.cn

工作时间:9:00-18:00,周末双休

客服微信
客服微信
分享本页
返回顶部