产品简介：
VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET，具有优异的电性能和稳定性。该器件采用
SJ_Multi-EPI技术制造，可靠性高，适用于各种工业和汽车应用。
详细参数说明：
1. 电压特性：VBP16R67S具有600V的最大漏极-源极电压（VDS），可适应各种高电压应用场景。
2. 电流特性：最大漏极电流（ID）达到67A，能够提供大电流输出，满足高功率需求。
3. 开关特性：具有低导通电阻（34mΩ），VGS=10V时，适用于高频开关模块，实现高效能的功率转换。
产品参数：
参数：
– 极性：Single N
– 最大漏极-源极电压（VDS）：600V
– 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
– 阈值电压（Vth）：3.5V
– VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：34
– 最大漏极电流（ID）：67A
– 技术：SJ_Multi-EPI
封装：TO247
领域和模块应用：
应用举例：
1. 工业电源模块：适用于工业级电源模块，如工业UPS、变频器和直流电源等，能够提供稳定可靠的功率输出。
2. 高压电子模块：适用于高压电子模块，如电力调节器、电动汽车充电器和电动机控制器等，能够承受高电压并实现稳定输出。
3. 高频开关模块：适用于高频开关模块，如无线电频率调节器、电力逆变器和变频器等，能够实现高效的功率开关和频率调节。
