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VBsemi(微碧半导体)VBP16R90S
该产品是一款单 N 型 MOSFET,具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造。VGS=10V时,导通电阻为24mΩ。
该产品是一款单 N 型 MOSFET,具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造。VGS=10V时,导通电阻为24mΩ。