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永源微电子科技有限公司,成立于2017年,前身为IR(国际整流器)台湾代工厂,继承了IR的先进制成工艺,具备完整的DC-DC,GateDriver等多种半导体器件经验。熟练掌握功率器件(Trench,SGT,Planar,Cool mos),BCD 5V-60V工艺,CMOS 5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。

在众多的技术支持下,永源微电子坚持自主创新,紧贴市场,致力于“APM,永源微电子”品牌的宣传于推广,坚持:自主,可控,严谨的产品意识,致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。
永源微电子宗旨:全面,专业,卓越
永源微电子愿景:最优质的半导体方案供应商!
永源微电子坚持:持续创新,紧靠市场,服务客户,提升自我!

MOSFET TypeConfiguration工艺工艺(中文)型号最低安全库存标准最高安全库存标准最小包装单位MPQ(Pcs)丝印内容package
NSingleTrench沟槽工艺AP2314MI03000编码丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP2222D-L02500APM丝印TO252-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP2334CI03000编码丝印SOT-523
NSingleTrench沟槽工艺AP2300AI360K720K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2300BI180K360K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2300MI12K15K3000编码丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP2302AI360K720K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2302BI4KK8KK3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2302CI4KK8KK3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2302DI4KK8KK3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2312AI360K540K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2312BI360K540K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2312CI3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP2312MI48K120K3000编码丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP2312MI-L48K120K3000编码丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP2320MI180K360K3000编码丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP3400DI360K720K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP3416AI180K360K3000编码丝印SOT23L
NSingleTrench沟槽工艺AP3416MI48K120K3000编码丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP10N02MI3000AP丝印SOT23-3L
NSingleTrench沟槽工艺AP15N02S36K90K3000APM丝印SOP-8L

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