产品简介：
该产品是一款单 N 型 MOSFET，具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造，VGS=10V时，导通电阻为24mΩ。
产品参数：
参数：
– 类型：单 N 型 MOSFET
– 最大漏电压（VDS）：600V
– 最大门源电压（VGS）：±30V
– 阈值电压（Vth）：3.5V
– 额定电流（ID）：90A
– 技术：SJ_Multi-EPI
– 封装：TO247
领域和模块应用：
产品简介：
该产品适用于以下领域和模块：
1. 工业电机驱动模块：由于其高电压和高电流特性，可用于设计和制造各种类型的工业电机驱动模块，如交流电机驱动器、直流电机控制器等。
2. 电力变换模块：在电力变换领域中，该产品可用于设计和制造各种类型的电力变换模块，如电力变频器、电力调速器等，用于工业生产过程中的电力控制和调节。
3. 高性能电源模块：在高性能电源领域中，该产品可用于设计和制造各种类型的高性能电源模块，如高功率电源、直流电源等，用于工业生产和通信设备等领域。
4. 高压直流输电模块：在高压直流输电系统中，该产品可用于设计和制造高压直流输电模块，如换流站、逆变器等，用于长距离电力传输和分配。
