VBsemi(微碧半导体)VBP16R90S
  • VBsemi(微碧半导体)VBP16R90S

产品简介:

该产品是一款单 N 型 MOSFET,具有最大漏电压为600V和额定电流为90A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于工业电机驱动、电力变换、高性能电源和高压直流输电等领域的各种模块设计和制造,VGS=10V时,导通电阻为24mΩ。

产品参数:

参数:
– 类型:单 N 型 MOSFET
– 最大漏电压(VDS):600V
– 最大门源电压(VGS):±30V
– 阈值电压(Vth):3.5V
– 额定电流(ID):90A
– 技术:SJ_Multi-EPI
– 封装:TO247

领域和模块应用:

产品简介:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业电机驱动模块:由于其高电压和高电流特性,可用于设计和制造各种类型的工业电机驱动模块,如交流电机驱动器、直流电机控制器等。
2. 电力变换模块:在电力变换领域中,该产品可用于设计和制造各种类型的电力变换模块,如电力变频器、电力调速器等,用于工业生产过程中的电力控制和调节。
3. 高性能电源模块:在高性能电源领域中,该产品可用于设计和制造各种类型的高性能电源模块,如高功率电源、直流电源等,用于工业生产和通信设备等领域。
4. 高压直流输电模块:在高压直流输电系统中,该产品可用于设计和制造高压直流输电模块,如换流站、逆变器等,用于长距离电力传输和分配。

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