EG2108 芯片EG(屹晶微)
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EG2108 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

EG2108 高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V~20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻,LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A,采用 SOP8 封装。

  • 特性
  • 应用领域
  • 引脚
  • 结构框图
  • 典型应用电路
  • 应用设计
  • 封装尺寸

◼高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V

◼ 适应 5V、3.3V 输入电压

◼ 最高频率支持 500KHZ

◼ VCC 和 VB 端电源带欠压保护

◼ 低端 VCC 电压范围 10V-20V

◼ 输出电流能力 IO+/- 0.3 A/0.6A

◼ 内建死区控制电路

◼ HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出

◼ LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出

◼ 外围器件少

◼ 封装形式:SOP-8

◼ 移动电源高压快充开关电源

◼ 无线充电驱动器变频水泵控制器

◼ DC-DC 电源

◼ 无刷电机驱动器

引脚定义

EG2108 芯片EG(屹晶微)

引脚描述

EG2108 芯片EG(屹晶微)
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EG2108 芯片EG(屹晶微)

Vcc 端电源电压
针对不同的 MOS 管,选择不同的驱动电压,芯片电源电压范围 10V-20V。

输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
EG2108 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下
桥图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上,低电平阀值为 1.0V 以下,要求逻辑信号的输出电流小,可以使 MCU 输出逻辑信号连接连接到 EG2108 的输入通道上。高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达 0.6A和最大输出电流可达 0.3A, 高端上桥臂通道可以承受 600V 的电压,输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小,低端输出开通传导延时为200nS、关断传导延时为 200nS,高端输出开通传导延时为 200nS、关断传导延时为 200nS。低端输出开通的上升时间为 70nS、关断的下降时间为 35nS, 高端输出开通的上升时间为 70nS、关断的下降时间为 35nS。输入信号和输出信号逻辑功能图如下图:

EG2108 芯片EG(屹晶微)
EG2108 芯片EG(屹晶微)

从真值表可知,当输入逻辑信号 HIN 为“1”和 LIN 为“0”时,驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开,LO 为“0”下管关断;当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和 LIN 为“1”时,驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断,LO 为“1”下管打开;在输入逻辑信号 HIN 和 LIN 同时为“1”或者 HIN 和 LIN 同时为“0”时,驱动器控制输出 HO、LO 为“0”将上、下功率管同时关断;内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通,具有相互闭锁功能。

自举电路

EG2108 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计,只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N 沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动,给实际应用带来极大的方便。EG2108可以使用外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能,假定在下管开通、上管关断期间 VC 自举电容已充到足够的电压(VC=VCC),当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时,VC 自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源,完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。下图为自举电路结构图:

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SOP8 封装尺寸

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