Leiditech(雷卯电子)MOSFET场效应管
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上海雷卯电子科技有限公司,成立于2011年,品牌Leiditech,是国家高新技术企业。公司研发团队由留美博士和TI原开发经理组建,凭借技术精湛的研发队伍和经验丰富的电磁兼容行业专家,主要提供防静电TVS/ESD以及相关EMC元器件(放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感)。

 Leiditech围绕EMC电磁兼容服务客户,自建免费实验室为客户测试静电ESD(30KV)、群脉冲EFT(4KV)、浪涌(8/20,10/700 10/1000)、汽车抛负载(7637 5a/5b)和元器件的性能测试等。Leiditech紧跟国内外技术更新脉搏,不断创新EMC保护方案和相关器件,目标方向为小封装,大功率,为国产化替代提供可信赖方案和元器件。

一 、MOSFET的简介

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称MOSFET.是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型,通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET广泛用于电路电子开关。

二、MOSFET的选用技巧

1.选用N沟道还是P沟道,在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑;

2.额定电压越大,器件的成本就越高,Vos必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线;
3.确定额定电流,额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流;

4.选好额定电流后,还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像-一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件功率耗损可由lload2xRDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高,Ros(ON)就 会越小;反之Rps(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较设计,可采用较高的电压。注意Ros(ON)电阻会随着电流轻微上升;

5.决定开关性能, 是栅极/漏极、栅极/源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

三、MOSFET的选型表(部分)

Part NumberPackage  Vdss Min(V) Drain-Source voltage  Drain Current ID(A)25℃  Vgs(V)  Vth Typ  Ron(10V) (mΩ)Typ  Ron(10V) (mΩ) Max  Ron(4.5V) (mΩ)Typ  Ron(4.5V) (mΩ)Max  Inner Diagram
LMQ3400ADFN2020-6307.7120.921272533LMQ3400A
LM4D8809DFN2*3-6209.5+9.512-0.45..-1.57.89LM4D8809
LMXD0210 (ESD)DFN3.3X3.3-8206.580.61822LMXD0210 (ESD)
LCE9926SOP-8206100.72028LCE9926
LM9926SOP-8206.5+6.5120.72028LM9926
LO9926BSOP-8206100.72028LO9926B
LCE30ND07SSOP-8307201.1..2.118232540LCE30ND07S
LMS3404ASOP-8308.5201.521232732LMS3404A
LM8S10ND03SOP-83010+10201.69121418LM8S10ND03
LM8S6ND03SOP-8307.8+7.8201.615222030LM8S6ND03
LM4946SOP-8604.52023845LM4946
LCE6005ASSOP-8605201.626353245LCE6005AS
LM8S6ND06SOP-8606201.626353245LM8S6ND06
LM8S10ND06SOP-86010+10201.515.6202028LM8S10ND06
LMS8205ASOT-23-6204100.6219.525LMS8205A
LM8205SOT-23-620680.652025LM8205
NTJD4401N (ESD)SOT-363200.63/0.91120.92290375NTJD4401N (ESD)

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